چین در حال پیشرفت در صنعت حافظه IC است. سه شرکت بزرگ چینی در نیمه دوم سال 2018 آماده تولید آزمایشی DRAM ها و فلش NAND هستند. YMTC، Innotron (Hefei Chang Xin) و JHICC قرار است شروع به تولید آزمایشی NAND فلش، DRAM موبایل و DRAM تخصصی کنند. در نیمه دوم سال 2018، طبق DRAMeXchange ، بخش TrendForce . تولید انبوه در نیمه اول سال 2019، اولین تولید چیپ های داخلی چین است.
طبق گزارش DRAMeXchange، تجهیزات در روز سه شنبه (Q3) سال 2017 در Instotron's fab نصب شده است، اما این شرکت تا ماه سوم سال 2018 تولید مواد مخدر را به تعویق انداخت و بعد از آن تولید انبوه در نیمه اول سال (میلادی) سال 2019 ادامه خواهد یافت.
JHICC که بر روی DRAM متمرکز بود، همچنین تولید آزمایشی خود را تا سال 2018 سهماهه و تولید انبوه تا 1 2019 را به تعویق انداخت. این شرکت در ماه ژوئیه 2016 برنامه خود را برای سرمایه گذاری 5.3 میلیارد دلار در یک ویجت 12 اینچی جدید در Jinjiang، استان فوجیان اعلام کرد.
DRAMeXchange گزارش داد که هر دو Innotron و JHICC در برنامه های اعلام شده خود عقب هستند.
Innotron ممکن است با چالش های دیگر روبرو شود. تماشاگران صنعت فکر نمی کنند که سازندگان چینی حافظه قادر به توسعه فن آوری پیشرفته بدون نقض حقوق ثبت اختراعات و یا تشکیل مشارکت سرمایه گذاری مشترک باشند.
ظاهرا Innotron می خواهد با عرضه کنندگان برتر DRAM با انتخاب تراشه های LPDDR4 8Gb به عنوان اولین محصول خود رقابت کند، اما این احتمال وجود دارد که Innotron مشکلات بالقوه ای برای نقض حق ثبت اختراع داشته باشد. »DRAMeXchange گفت: "برای جلوگیری از استدلال، Innotron باید IP را که توسط قوانین بین المللی به رسمیت شناخته می شود، افزایش دهد. یکی دیگر از رویکردهای امن تر، فروش محصولات در بازار داخلی است. "
هزینه های سرمایه گذاری سامسونگ متوقف خواهد شد به " هر گونه امید که شرکت های چینی ممکن است تبدیل شدن به بازیکنان قابل توجه در فلش 3D NAND فلش و یا DRAM "، و "فقط در مورد تضمین هایی که بدون برخی از نوع سرمایه گذاری مشترک با حافظه موجود بزرگ حافظه، بیل مک لین، رئيس جمهور IC Insights در سال گذشته گفت: "راه اندازی جدید حافظه چینی فرصتی برای رقابت در همان سطح به عنوان تامین کنندگان پیشرو امروز است."
وی افزود: "حتی اگر آنها خودشان تکنولوژی پیشرفته را توسعه دهند، عرضه کنندگان جدید چینی تقریبا قطعا از چندین اختراع DRAM و NAND که توسط سامسونگ، SK Hynix، Micron و غیره نگهداری می شود، نقض می شود."
در بخش فلش NAND، YMTC قصد دارد سه فدراسیون تولید فلاش 3D NAND را در سه مرحله دنبال کند. فاز اول در سپتامبر 2017 با نصب تجهیزات در سه ماهه سوم سال 2018 به اتمام رسیده و در سه ماهه چهارم تولید آزمایشی به پایان رسیده است. این کارخانه 32-لایه MLC 3D-NAND Flash را تولید خواهد کرد. انتظار می رود که شروع به وفرس از 10،000 در ماه نباشد.
DRAMeXchange می گوید: "ساخت کارخانه های دوم و سوم و برنامه های تولید آنها با توجه به وضعیت ادامه خواهد یافت پس از اینکه YMTC از طراحی 64 لایه آن را بهبود بخشد، گفت:" DRAMeXchange.
